進口ITO靶材/韓國日本臺灣/TFT-LCD鍍膜玻璃用ITO導電玻璃靶

ITO靶材通過磁控濺射制備ITO導電薄膜，廣泛應用于太陽能、LCD、TP、TN、TFT-LCD市場等領域的ITO導電玻璃。在TFT面板薄化、電容屏制造方面有很好的應用。

燒結法是世界上主流的ITO靶材生產方式，

常壓燒結是當前日本ITO靶材燒結的主流技術

采用燒結法生產ITO靶材的公司有許多，高端TFT-LCD用ITO靶材均來自日本的東曹、日立、日礦金屬JX、住友、日本能源、三井金屬、韓國三星康寧、韓國ANP等公司

ITO靶一般主要性能及參數

成份: In2O3:SnO2=90/10(wt%)其他比例以客戶要求為準

相對密度: ≥99.5%（理論密度7.15g/cm3)

純度: 99.99%

尺寸規格:依據客戶要求為準

高性能ITO靶材主要技術特性有:

1)純度:其純度達到99.99%以上,主要雜質元素Cu、Fe、Pb、Si、Ni分別小于10 ppm,

總雜質含量不超過100 ppm。

2)相對密度:相對密度要求在99.5%以上,密度均勻度偏差≤0.15%。

3)組織均勻性:SnO2固熔到In2O3中形成單一的In2O3相,

             Sn在靶中均勻分布,晶粒細微均勻。

4)電阻率小于0.14mΩ·㎝。

5)抗折強度:≥120MPa。

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